THS4222DR详细
IC OPAMP VFB R-R 120MHZ LV 8SOIC
THS4222DR参数
包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,放大器类型:电压反馈,电路数:2,输出类型:满摆幅,压摆率:990 V/µs,增益带宽积:120MHz,-3db 带宽:230MHz,电流 - 输入偏置:900nA,电压 - 输入失调:3mV,电流 - 电源:14mA,电流 - 输出/通道:100mA,电压 - 电源,单/双 (±):2.7 V ~ 15 V,±1.35 V ~ 7.5 V,工作温度:-40°C ~ 85°C,安装类型:表面贴装,封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽),供应商器件封装:8-SOIC